赤外光弾性を応用した
特殊ウェハ残留ひずみ計測機

■ ウェハ等の結晶薄板の応力ひずみによる光学的非等方性を複屈折ベクトルとして計測します
■ ひずみの広がりにより転移等の結晶欠陥の存在を推定します
■ 低コヒーレンスなSLDを使用し不要な干渉縞発生を抑止しています
■ 計測はpoint-to-pointで全面をスキャンするので歪み量定量計測には相応の時間を要します

項目 仕様
対象材料 InP, InGaAs, GaAs, LiNbO3, Si 最大6インチ
供給方法 手作業にてホルダに供給
プローブ光 1550または1650nm SLD
計測方法 赤外光弾性法による
スキャン方式 5軸制御高速スキャン
計測時間 6インチウェハにて約2時間
寸法・重量 800(W)x800(D)x1,755(H)mm・100kg
電源 AC100V・1000VA
雰囲気 気温15~25℃・湿度20~60%


光干渉位相シフト法を応用した
アモルファス膜光誘起体積変化
nmオーダ表面高さその場計測機

■ 短波長レーザ光干渉と位相シフト法により、nmオーダの表面高さ計測を行います


ページの先頭へ